文/劉斌

　　自去年以來，半導(dǎo)體一直處于高景氣周期。產(chǎn)能逐漸釋放疊加下游加速導(dǎo)入，大部分半導(dǎo)體公司實現(xiàn)了較好發(fā)展，漸次披露的中報業(yè)績預(yù)告已經(jīng)有所體現(xiàn)。但細(xì)分季度來看，自二季度起，半導(dǎo)體行業(yè)的業(yè)績已經(jīng)出現(xiàn)分化。

　　其中，由于下游需求減弱和周期高點等原因，電子芯片等消費類屬性較高的公司業(yè)績環(huán)比有所承壓。但與下游創(chuàng)新需求如新能源車等行業(yè)相關(guān)性較大，以及在國產(chǎn)替代進程中產(chǎn)能有所擴張的公司卻有較好的業(yè)績表現(xiàn)。

　　半導(dǎo)體行業(yè)估值有所修復(fù)機會挖掘重點考慮兩大因素

　　年初以來，受到流動性緊縮以及部分城市疫情爆發(fā)等宏觀因素影響，疊加半導(dǎo)體周期見頂、手機出貨不及預(yù)期，半導(dǎo)體電子板塊經(jīng)歷了一波“殺估值”。之后，伴隨多國頒布半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈新政規(guī)劃，以及新能源車、光伏儲能、5G基站等下游板塊需求爆發(fā)，整體行業(yè)估值水平有所反彈。

　　截至7月底，申萬半導(dǎo)體指數(shù)的PE(TTM)約為38.80，與年初相比，消費電子及半導(dǎo)體公司跌幅30%左右，估值從40倍跌到30倍左右。半導(dǎo)體設(shè)備板塊PS估值龍頭公司跌到10倍PS(市銷率），二線公司跌到7-8倍PS。目前來看，板塊整體估值水平的變動已經(jīng)將階段性需求下滑、價格下跌等悲觀情緒有所消化，并且仍保持一定價格優(yōu)勢。

　　但這類硬科技板塊有較高***門檻，而且產(chǎn)業(yè)鏈自身具有投入大、周期長、賽道細(xì)分等特點，這對普通投資者并不友好。所以具體投資中，需要重點考慮兩大因素：一是標(biāo)的所從事的業(yè)務(wù)是否核心；二是標(biāo)的的核心技術(shù)是否具有發(fā)展前景。

　　關(guān)于所從事的業(yè)務(wù)是否核心，重點考慮的標(biāo)準(zhǔn)是下游的需求空間，即從公司業(yè)務(wù)對應(yīng)的下游來看，公司產(chǎn)品在下游廠商中的重要程度如何，價值量占比有多大，該產(chǎn)品供需關(guān)系的改變是否會直接影響下游廠商的出貨節(jié)奏。以功率半導(dǎo)體IGBT模塊舉例，它在新能源車起到逆變器的作用，是連接電池輸出與電機驅(qū)動的關(guān)鍵一環(huán)，價值量較高。目前IGBT供應(yīng)尚處于緊張態(tài)勢，也對下游新能源車廠商的出貨節(jié)奏造成一定影響。

　　關(guān)于核心技術(shù)是否有發(fā)展前景，重點考察哪些方面呢？仍以汽車功率半導(dǎo)體為例，碳化硅MOSFET模塊是IGBT模塊的升級，比較而言，具有損耗更低的優(yōu)勢，可提升續(xù)航里程。使用該模塊雖然會增加功率器件成本，但從整車成本角度考慮還是合算的。目前新能源車廠為滿足快充需求，正將整車的系統(tǒng)電壓從400V升級至800V，在800V環(huán)境下，使用碳化硅模塊的性能優(yōu)勢將更加明顯，車廠替代意愿十分強勁。未來隨著碳化硅產(chǎn)能提升，將加速實現(xiàn)對IGBT替代，成長空間廣闊。

　　結(jié)合上述兩大因素，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中我們相對更關(guān)注的包括能同時滿足下游廣闊需求承接，且在國產(chǎn)替代中具有明顯優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料、設(shè)備等細(xì)分線索。

　　新能源需求疊加國產(chǎn)替代第三代半導(dǎo)體材料或成主線

　　最近幾年，半導(dǎo)體國產(chǎn)替代進程加快。但產(chǎn)業(yè)鏈長、產(chǎn)品多，從消費電子到家電再到工業(yè)汽車領(lǐng)域，國產(chǎn)替代很難一蹴而就，而是由易到難，從消費電子到黑電白電逐漸替代的過程。

　　現(xiàn)在，國內(nèi)已經(jīng)有一些半導(dǎo)體相關(guān)公司逐漸成長起來，雖然與國際巨頭相比存在較大差距，但未來發(fā)展空間依然非常廣闊，其中的國產(chǎn)化機會值得期待，比如能同時受益于新能源汽車、光伏、5G等下游需求爆發(fā)，且技術(shù)門檻更高、處于供應(yīng)鏈上游位置的中高端賽道。

　　這里面最具代表性的就是第三代半導(dǎo)體材料，它是指以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。其中，碳化硅器件具備耐高壓、低損耗和高頻三大優(yōu)勢，主要應(yīng)用于新能源汽車、光伏發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。氮化鎵器件具備高開關(guān)頻率、耐高溫、低損耗等優(yōu)勢，可更好地滿足5G宏基站、衛(wèi)星通信、微波雷達、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

　　其中，碳化硅加速滲透的核心驅(qū)動力為新能源汽車、光伏等。根據(jù)測算，2020年全球新能源汽車碳化硅器件及模塊市場規(guī)模為2.7億美元，預(yù)計2025年達30.1億美元，對應(yīng)年復(fù)合增長率為62.3%。與海外企業(yè)不同，國內(nèi)企業(yè)在布局碳化硅產(chǎn)業(yè)時，更多聚焦產(chǎn)業(yè)鏈的部分環(huán)節(jié)，例如僅從事襯底及外延的制備或僅聚焦碳化硅晶圓制造等。因此在碳化硅相關(guān)領(lǐng)域的機會把握時，可重點關(guān)注已率先在核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)深度布局，即已掌握核心技術(shù)并有產(chǎn)能擴大項目儲備的公司。

　　因為這類公司有機會在國產(chǎn)替代中充分受益，有形成龍頭的潛在優(yōu)勢。例如，在襯底環(huán)節(jié)可重點關(guān)注已掌握多個尺寸碳化硅襯***備技術(shù)，并有襯底項目儲備的企業(yè)，因為這類企業(yè)有機會率先實現(xiàn)量產(chǎn)。在碳化硅晶圓制造中，可重點關(guān)注布局刻蝕、沉積等大賽道的龍頭廠商，因為這些企業(yè)具備更為廣闊的營收增長空間。

　　第三代半導(dǎo)體材料的另一重要領(lǐng)域就是氮化鎵。據(jù)測算，受益于消費快充、5G、新能源汽車等多重驅(qū)動，預(yù)計2026年氮化鎵全球市場規(guī)模有望達到35億美元。從氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上公司來看，國外公司在技術(shù)實力以及產(chǎn)能上保持較大領(lǐng)先，中國企業(yè)整體仍處于起步階段。所以在氮化鎵A股投資中，應(yīng)重點關(guān)注那些有機會在產(chǎn)業(yè)鏈某一核心環(huán)節(jié)實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的企業(yè)，如在外延領(lǐng)域，某企業(yè)已率先布局，并已規(guī)劃相關(guān)擴建項目，待投產(chǎn)后有機會率先在該領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化生產(chǎn)。

　　此外，伴隨半導(dǎo)體設(shè)備國產(chǎn)化提速，平臺化布局的半導(dǎo)體裝備企業(yè)同樣值得關(guān)注。因為近年來本土設(shè)備廠商持續(xù)拓寬產(chǎn)品廣度和挖掘產(chǎn)品深度，平臺化布局有利于后續(xù)規(guī)模的持續(xù)擴張。以芯片制造為例，其在各階段所需設(shè)備種類不同，涵蓋光刻、去膠、離子注入等多個不同核心設(shè)備。但本土設(shè)備廠商往往僅專注于其中1~2種設(shè)備。所以，拓寬現(xiàn)有設(shè)備覆蓋工藝能為公司營收增長提供更多可能性。